Puslaidininkiniai lazeriai yra diodai, kuri yra elektriškai pumpuojamas. Rekombinacijos būdu elektronų ir skylių sukurta taikomoji dabartinės pristato optinis padidėjimas. Atspindys nuo kristalų formos optiniame rezonatoriuje, nors rezonatorių gali būti išorinis – kai kurių puslaidininkių.
Komercinės lazeriniais diodais skleidžia bangos ilgiai nuo 375 nm iki 3500 nm. Mažo iki vidutinio galingumo lazerio diodai naudojami didelės galios lazeris patarimų, Lazeriniai spausdintuvai ir CD bei DVD grotuvai. Lazerio diodai taip pat dažnai naudojamas optiškai su aukšto efektyvumo siurblys kitokie lazeriai. Didžiausia galia pramonės lazerinius diodus, su galia iki 20 kW, naudojami pramonėje pjovimo ir suvirinimo. Išorės ertmės Puslaidininkiniai lazeriai turi puslaidininkių aktyvią vidutinio dydžio didesni ertmėje. Šie įrenginiai gali generuoti didelės galios rezultatus su gerą šviesų kokybės, spinduliuotės bangos ilgis-derinamosios siauros-linewidth ar ultrashort lazerio impulsų.
2012 m. Nichia ir OSRAM sukurtas ir pagamintas komercinės didelio galingumo žalios lazerio diodais (515/520 nm), kuris konkuruoja su tradiciniais diodas pumpuojamas kietojo kūno lazeriai.
Vertikalių ertmių paviršius spinduliuojantis lazeriai (VCSELs) yra Puslaidininkiniai lazeriai, kurių emisijos kryptis yra statmena, plokštelių paviršiaus. VCSEL įtaisai paprastai turi žiedinę išėjimo šviesos nei įprastinių lazerinius diodus. Nuo 2005 m. 850 nm VCSELs yra plačiai prieinama, su 1300 nm VCSELs pradeda parduoti, [39] ir 1550 nm prietaisus mokslinių tyrimų erdve. VECSELs yra išorės ertmės VCSELs. Kvantinė kaskados lazeriai yra Puslaidininkiniai lazeriai, kurie turi aktyvų perėjimas tarp energijos juostos, elektronas struktūra, kurioje keletas Kvantinė duobutes.
Silicio lazeriu plėtojimas yra svarbus optinis kompiuterijos srityje. Silicis yra pasirinkimas, skirtus integriniams grandynams, ir todėl elektroninė medžiaga ir silicio Fotoniniai komponentai (pvz., optinis sąsajų) gali būti gaminami viename luste. Deja, silicis yra sunku lazerinės generacijos izotopai medžiagą nagrinėti, nes ji turi tam tikrų savybių, kurias blokas generacijos. Tačiau neseniai komandos parengė silicio lazeriai metodais pavyzdžiui, gamybos lazerinės generacijos izotopai medžiaga iš silicio ir kitų puslaidininkių medžiagos, tokios kaip indium(III) fosfidas arba gallium(III) arsenidas, medžiagos, kurios leidžia nuosekliai atsižvelgiant turi būti gaminami iš silicio. Jie vadinami hibridinių silicio lazeriu. Naujausi pokyčiai taip pat parodė naudoti monolithically integruota nanowire lazerių tiesiai ant silicio, optinis sąsajų, paklojo pamatus lustas lygio programas. Šių heterostructure nanowire lazeriai gali optinis sąsajų ir silicio taip pat galintys spinduliuoti porų fazės užrakinta picosecond impulsų pasikartojimo dažnis iki 200 GHz, numatant luste optinių signalų apdorojimo. Kitas tipas yra Ramano lazeriu, kuris pasinaudoja Ramano sklaidos gaminti iš medžiagų, tokių kaip silicio lazeriu.
Generacijos neišlaikius vidutinės trukmės ir džiaugiamės į gyventojų inversijos demonstruojamas 1992 natrio dujų ir vėl 1995 m. rubidžio dujų įvairias tarptautines komandas. Tai buvo atlikta naudojant išorės kitą sukelti "optinis skaidrumas" terpėje ir destruktyviai trukdančių žemės elektronų perėjimus tarp du keliai, taip, kad tikimybė dėl žemės elektronų bet energiją buvo nutraukta.
